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全碳化硅功率模塊
與傳統(tǒng)硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開關(guān)損耗可降低70%以上?？蓱糜谲壍澜煌孀儬恳⑿履茉雌囯姍C控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網(wǎng)等。
| 型號 | 電壓(V) | 電流(A) | 導通電阻（mΩ） | 閾值電壓（V） | 拓撲結(jié)構(gòu) | 封裝形式 | 規(guī)格書下載 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CHF300R12KC3 | 1200V | 300A | 4.7mΩ | 2.8 | 半橋 | K |  |
| CHF300R12LC3 | 1200V | 300A | 4.7mΩ | 2.8 | 半橋 | L | |
| CHF600R12LC3 | 1200V | 600A | 2.2mΩ | 2.5 | 半橋 | L | |