首頁 > 技術(shù)支持 > 資料下載 >
| 產(chǎn)品類別 | 型號(hào) | 產(chǎn)品描述 | 資料下載 |
|---|---|---|---|
| SiC單晶片 | 6英寸導(dǎo)電型單晶襯底 | 小批量試產(chǎn)產(chǎn)品，禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場，用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導(dǎo)體功率器件。 |
 |
| SiC外延片 | 6英寸N型SiC外延片 | 禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場，用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導(dǎo)體功率器件。 |
|
| SiC SBD | CGC1S06506 | 電壓650V，電流6A，TO-220封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGF1S06506 | 電壓650V，電流6A，TO-263封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGC1S06508 | 電壓650V，電流8A，TO-220封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGC1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-220封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGF1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-263封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGJ1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-220F封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGC1S06515 | 電壓650V，電流15A，TO-220封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|
| SiC SBD | CGE1S06520 | 電壓650V，電流20A，TO-247-3封裝，0反向回復(fù)特性，高頻、高可靠性。 |
|