碳化硅（SiC）是性能優(yōu)異的第三代寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等優(yōu)點。
MORE+碳化硅（SiC）是性能優(yōu)異的半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、電子飽和漂移速度高等優(yōu)點。
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北京世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）是一家致力于第三代寬禁帶半導體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于2010年12月24日，注冊資金26,613萬元......
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